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PRTR5V0U1T	文件：192.09 Kbytes Page：12 Pages	Marking：ZN；Package：SOT23；Ultra low capacitance single rail-to-rail ESD protection 1.1Generaldescription Ultralowcapacitancesinglerail-to-railElectroStaticDischarge(ESD)protectiondevicein asmallSOT23(TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedto protectoneHi-Speeddatalineorhigh-frequencysignallinefromthedamagecausedby ESDand	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
CPDQ5V0U1-HF	文件：350.01 Kbytes Page：5 Pages	SMDESDProtectionDiode RoHSDevice HalogenFree Features -IEC61000-4-2Level4ESDProtection. -ESDRatingofClass3(>16kV)perHumanBodyMode. -Lowbodymheight:0.017”(0.43mm)Max -LowLeakage. Mechanicaldata -Case:0402/SOD-923Fsmalloutlineplasticpackage.moldedplastic. -Terminals:Mattetin	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
CPDQ5V0U1-HF	文件：350.01 Kbytes Page：5 Pages	SMDESDProtectionDiode	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
DESD5V0U1BA	文件：460.74 Kbytes Page：5 Pages	LOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DESD5V0U1BB	文件：412.72 Kbytes Page：5 Pages	LOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE Features •ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard: Contact±10kV •1ChannelofESDProtection •HighPeakPulseCurrentperIEC61000-4-5Standard •LowChannelInputCapacitance •TypicallyusedinCellularHandsets,PortableElectronics, CommunicationSystems,Computers	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DESD5V0U1BL	文件：477.43 Kbytes Page：5 Pages	LOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DESD5V0U1BLQ	文件：284.78 Kbytes Page：5 Pages	LOWCAPACITANCEBIDIRECTIONALTVSDIODE Features •ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard:Contact±10kV •1ChannelofESDProtection •HighPeakPulseCurrentperIEC61000-4-5Standard •LowChannelInputCapacitance •TypicallyusedinCellularHandsets,PortableElectronics,CommunicationSystems,ComputersandPer	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DRTR5V0U1LP	文件：262.78 Kbytes Page：5 Pages	LOWCAPACITANCESINGLEESDPROTECTIONTVSDIODE Features •IEC61000-4-2(ESD):Air±15kV,Contact±8kV •1ChannelofESDProtection •LowChannelInputCapacitanceof1.0pFTypical •LowProfilePackage(0.53mmmax)andUltra-smallPCB FootprintArea(1.08*0.68mmmax)SuitableforCompact PortableElectronics •TypicallyUseda	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
DRTR5V0U1SO	文件：106.62 Kbytes Page：4 Pages	1CHANNELLOWCAPACITANCETVSDIODEARRAY	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
PESD5V0U1BA	文件：301.18 Kbytes Page：5 Pages	UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Description UltralowcapacitancebidirectionalElectroStatic Discharge(ESD)protectiondiodesinsmallSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackagesdesigned toprotectonedatalinefromthedamagecausedby ESD. Features BidirectionalESDprotectionofoneline Ultralowleakagecurre	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW

详细参数

型号：
PRTR5V0U1T
功能描述：
ESD 抑制器 Diode TVS Single Uni-Dir 5.5V 3-Pin
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道：
8 Channels
击穿电压：
8 V
电容：
45 pF
端接类型：
SMD/SMT
封装/箱体：
uQFN-16 功率耗散
工作温度范围：
- 40 C to + 85 C

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