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CSF150R12A6H1200V150A
更新时间 2023-5-26 14:20:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =150A / ICRM =300A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块

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CSF150R17E61700V150A
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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =150A / ICRM =300A 62mm Half Bridge IGBT Module 62毫米半桥 IGBT 模块

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CSF100R12A6H1200V100A
更新时间 2023-5-26 14:10:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =100A / ICRM =200A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =100A / ICRM =200A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块

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CSF75R17A61700V75A
更新时间 2023-5-26 13:58:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1700V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 变频器 UPS 伺服 逆变器 VCES =1700V，IC nom =75A / ICRM =150A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块

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CSF75R12A6H1200V75A
更新时间 2023-5-26 13:50:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =75A / ICRM =150A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块

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CSF50R12A6H1200V50A
更新时间 2023-5-26 13:47:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 1200V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 逆变焊机 感应加热 高频开关应用 逆变器 VCES =1200V，IC nom =50A / ICRM =100A 34mm Half Bridge IGBT Module 34毫米半桥 IGBT 模块

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CS3L150R07G6650V150A
更新时间 2023-5-26 11:32:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V，IC nom =150A / ICRM =300A 3-Level IGBT Module

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CS3L100R07G6650V100A
更新时间 2023-5-26 11:25:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 电气特性: 650V 沟槽栅/场终止工艺 低开关损耗 正温度系数 典型应用: 三电平应用 UPS 光伏应用 VCES =650V，IC nom =100A / ICRM =200A CS3L100R07G6650V100A库存现货价格科瑞半导体/CorisemiPDF规格书IGBT模块23+电气特性: 650V沟槽栅/场终止工

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PEB3332HTV2.2
更新时间 2022-12-16 10:28:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 只做原装,可开13个点税票 PEB3332HTV2.2货源供应商报价INFINEON/英飞凌PDF资料QFP0830+只做原装,可开13个点税票

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PM4325-BI
更新时间 2022-11-5 10:14:00

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GF19NC60KD
更新时间 2022-11-5 10:14:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 ST IGBT GF19NC60KD 600V 19A

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ACT8600QJ162-T
更新时间 2022-5-18 8:38:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 ACT8600QJ162-T其他被动元件现货供应批发ACTIVE-SEMIic资料下载TQFN4014+

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SKKT57
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STK621-220A
更新时间 2019-7-16 17:16:00

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FP100R06KE3
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PS21869-AP
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SKB30/16A1
更新时间 2018-1-17 14:45:00

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详情场效应管/MOSFET>IGBT模块 SKB30/16A1货源供应商报价SEMIKRON技术参数模块1321+我司可控硅/晶闸管都为专利丰绅，品质保证

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