供应NANR闪存S34ML01G100TFI000

原厂料号：S34ML01G100TFI000品牌：赛普拉斯

NANR闪存S34ML01G100TFI000 密度1 Gb / 2 Gb / 4 Gb架构输入/输出总线宽度:8位或16位页面大小:××8 = 2112(2048 + 64)字节;64字节为空闲区x16 = 1056(1024 + 32)个单词;32字是备用区域块大小:64页××8 = 128 KB + 4 KB乘16 = 64 k + 2 k字平面尺寸:1 Gb / 2 Gb: 1024块每架飞机×8 = 128 MB + 4 MB乘16 = 64 + 2米字4 Gb: 2048块每架飞机×8 = 256 MB + 8 MB乘16 = 128 + 4 m字设备大小:1 Gb: 1平面/设备或128 MB2 Gb: 2飞机/设备或256 MB4 Gb: 2飞机/设备或512 MB

NANR闪存S34ML01G100TFI000 NAND闪存接口开放NAND闪存接口(ONFI) 1.0兼容地址、NANR闪存S34ML01G100TFI000 数据和命令多路复用电源电压3.3 - v设备:Vcc = 2.7 V ~ 3.6 V安全一次可编程(OTP)区域硬件程序/消除权力过渡期间禁用附加功能2 Gb和程序支持多翼机4 Gb部分擦除命令支持复制程序2 Gb和程序支持多翼机复制4 Gb部分支持读缓存NANR闪存S34ML01G100TFI000 电子签名制造商ID: 01 h操作温度工业:-40°C到85°C汽车:-40°C到105°C

性能页面读/程序随机访问:25μs (Max)顺序存取:25 ns (Min)项目时间/多翼机项目时间:200年μs (Typ)块擦除(S34ML01G1)块擦除时间:2.0毫秒(Typ)块擦除/多翼机擦除(S34ML02G1 S34ML04G1)块擦除时间:3.5毫秒(Typ)可靠性100000项目/消除周期(Typ)每528个字节(1位ECC(×8)或264字())10年数据保留(Typ)

For 一 架 飞机 结构 (1-Gb density) Block 零 有效 , 有效期 为 至少 1000 program-erase 周期 与 ECC For 两 平面 结构 (2-Gb 4-Gb densities) Blocks 0 和 1 是 有效 且 有效期 至少 1000 program-erase 周期 ECC Package 选项 Lead Free 和 Low Halogen 48-Pin TSOP 12 20 1.2 毫米 63 - Ball BGA 9 11 1 毫米

• 芯片型号：

  S34ML01G100TFI000

• 规格书：

  下载

• 企业简称：

  SPANSION【飞索】详情

• 厂商全称：

  SPANSION

• 中文名称：

  飞索半导体

• 内容页数：

  73 页

• 文件大小：

  2766.77 kb

• 资料说明：

  Spansion짰 SLC NAND Flash Memory for Embedded