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RJK2006DPE	文件：250.56 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
RJK2006DPE-TL-E	文件：66.38 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK2006DPF	文件：66.38 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK2006DPF	文件：127.23 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK2006DPF	文件：244.36 Kbytes Page：10 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK2006DPJ	文件：66.38 Kbytes Page：5 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK2006DPJ	文件：127.23 Kbytes Page：8 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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产品属性

产品编号：
PR2006G-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
2A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
35pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AC，DO-15，轴向
供应商器件封装：
DO-15
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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