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MU13001A	文件：65.17 Kbytes Page：2 Pages	3SINGLEDIGITNUMBERICDISPLAYS SEVENSEGMENTNUMERICDISPLAY UltrahighbrightnessredGaAlAs 3inchCharacterHeight HighContrast WideViewingAngle CommonAnode-MU13001A CommonCathode-MU13001C	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
MU13001C	文件：65.17 Kbytes Page：2 Pages	3SINGLEDIGITNUMBERICDISPLAYS SEVENSEGMENTNUMERICDISPLAY UltrahighbrightnessredGaAlAs 3inchCharacterHeight HighContrast WideViewingAngle CommonAnode-MU13001A CommonCathode-MU13001C	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS
NJ13001	文件：1.42874 Mbytes Page：4 Pages	SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors FEATURES ·powerswitchingapplications	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
RKJXK13001	文件：116.38 Kbytes Page：1 Pages	Compactdesignwithagoodspacefactor	PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司	PRODUCTWELL
RKJXP13001	文件：112.51 Kbytes Page：1 Pages	Compactdesignwithagoodspacefactor	PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司	PRODUCTWELL
SAEP13001	文件：137.13 Kbytes Page：5 Pages	ADSLLINETRANSFORMER	PRODUCTWELLProductwell Precision Elect.CO.,LTD 寶德華股台灣寶德華股有限公司	PRODUCTWELL
SBN13001	文件：333.78 Kbytes Page：5 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription ThisDeviceisdesignedforhighvoltage,Highspeedswitchingcharacteristicsrequiredsuchaslightingsystem,switchingmodepowersupply. Features ■VeryHighSwitchingSpeed ■HighVoltageCapability ■WideReverseBiasSOA	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi
SBN13001	文件：526.73 Kbytes Page：4 Pages	HighVoltageFast-SwitchingNPNPowerTransistor GeneralDescription Thisdeviceisdesignedforhighvoltage,highspeedswitchingcharacteristicrequiredsuchaslightingsystem,switchingregulator,inverteranddeflectioncircuit. Features -VeryHighSwitchingSpeed(Typical120ns@100mA) -MinimumLot-to-LothFEVariation -LowVCE(sat	semiWell semiWell	semiWell
ST13001	文件：162.26 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forhighvoltageandhighspeedswitchingapplications	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
STC13001	文件：91.91 Kbytes Page：3 Pages	NPNPOWERTRANSISTORS	SUNTACSuntac Electronic Corp. Suntac Electronic Corp.	SUNTAC
T-13001	文件：57.57 Kbytes Page：2 Pages	10BASE-TTransformers	RHOMBUS-IND Rhombus Industries Inc.	RHOMBUS-IND
TS13001	文件：35.24 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageNPNTransistor BVCEO=400V BVCBO=500V Ic=0.1A VCE(SAT),=0.5V@Ic/Ib=50mA/10mA Features ◇Highvoltage. ◇Highspeedswitching Structure ◇Silicontriplediffusedtype. ◇NPNsilicontransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS13001	文件：125.69 Kbytes Page：10 Pages	GalvanicIsolatedBlocking56VPowerLoadSwitch Description TheTS13001isagalvanicisolated56Vpowerswitchdevicewithbi-directionalblocking.Thedeviceincludesasingleintegrated110mOhmhighvoltageFETallowinghighefficiencyswitchingofpowerloadsorotherhighcurrentapplications.Theinputpin,CLK,controlstheturnon/off	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH
TS13001CT	文件：35.24 Kbytes Page：2 Pages	HighVoltageNPNTransistor BVCEO=400V BVCBO=500V Ic=0.1A VCE(SAT),=0.5V@Ic/Ib=50mA/10mA Features ◇Highvoltage. ◇Highspeedswitching Structure ◇Silicontriplediffusedtype. ◇NPNsilicontransistor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
TS13001-QFNR	文件：125.69 Kbytes Page：10 Pages	GalvanicIsolatedBlocking56VPowerLoadSwitch Description TheTS13001isagalvanicisolated56Vpowerswitchdevicewithbi-directionalblocking.Thedeviceincludesasingleintegrated110mOhmhighvoltageFETallowinghighefficiencyswitchingofpowerloadsorotherhighcurrentapplications.Theinputpin,CLK,controlstheturnon/off	SEMTECH Semtech Corporation	SEMTECH

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