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AP2317H-ADJ	文件：156.56 Kbytes Page：13 Pages	600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
AP2317H-ADJTR	文件：161.19 Kbytes Page：14 Pages	600mALOWDROPOUTLINEARREGULATOR	BCDSEMIBCD Semiconductor Manufacturing Limited 新进半导体上海新进半导体制造有限公司	BCDSEMI
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APM2317A	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2317AC-TR	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
APM2317AC-TRG	文件：1.04054 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APM2317AC-TRL	文件：1.040369 Mbytes Page：9 Pages	P-Channel20-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
APM2317AC-TRL	文件：178.5 Kbytes Page：10 Pages	P-ChannelEnhancementModeMOSFET Features ●-20V/-4.5A, RDS(ON)=28mW(typ.)@VGS=-4.5V RDS(ON)=38mW(typ.)@VGS=-2.5V RDS(ON)=55mW(typ.)@VGS=-1.8V ●SuperHighDenseCellDesign ●ReliableandRugged ●LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications ●PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquip	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子	ANPEC
CES2317	文件：396.52 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■-30V,-3.1A,RDS(ON)=80mW@VGS=-10V. RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V. ■HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Ruggedandreliable. ■Lead-freeplating;RoHScompliant. ■SOT-23package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CES2317	文件：398.36 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor 30V,-3.1A,RDS(ON)=80mW@VGS=-10V. RDS(ON)=90mW@VGS=-4.5V. HighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Ruggedandreliable. SOT-23package. Lead-freeplating;RoHScompliant. RDS(ON)=120mW@VGS=-2.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CPC2317N	文件：126.1 Kbytes Page：7 Pages	DualSingle-Pole8-PinSOICOptoMOS짰Relay	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
CPC2317NTR	文件：126.1 Kbytes Page：7 Pages	DualSingle-Pole8-PinSOICOptoMOS짰Relay	IXYS IXYS Integrated Circuits Division	IXYS
DA2317-AL	文件：160.98 Kbytes Page：1 Pages	SMTGateDriveTransformers	COILCRAFTCoilcraft 线艺	COILCRAFT
DA2317-AL_	文件：224.65 Kbytes Page：1 Pages	SMTGateDriveTransformers	COILCRAFTCoilcraft 线艺	COILCRAFT
ENA2317	文件：472.15 Kbytes Page：31 Pages	2-phaseStepperMotorDriver	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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