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TDA1311AT	文件：133.34 Kbytes Page：20 Pages	StereoContinuousCalibrationDACCC-DAC	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
TLD1311EL	文件：1.73277 Mbytes Page：33 Pages	3ChannelHighSideCurrentSource	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TMCM-1311	文件：772.78 Kbytes Page：24 Pages	MODULEFORSTEPPERMOTORS	TRINAMIC TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.	TRINAMIC
TVA1311	文件：73.25 Kbytes Page：5 Pages	AluminumCapacitors85C,Miniature,AxialLead FEATURES •Lowleakagecurrent •Longshelflife •IdealforapplicationinTVsets,autoradios,radio-phonecombinations,electronictestingequipment •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VBA1311	文件：625 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •OptimizedforHigh-SideSynchronous RectifierOperation •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •NotebookCPUCore -High-SideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBA1311	文件：611.63 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBFB1311	文件：572.8 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBMB1311	文件：586.06 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VOS-E-1311	文件：147.59 Kbytes Page：4 Pages	PositionSensors2-WIREPOSITIONTRANSMITTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
VOS-E-1311/C	文件：147.59 Kbytes Page：4 Pages	PositionSensors2-WIREPOSITIONTRANSMITTER	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM

详细参数

型号：
PNX1311EH/G
功能描述：
数字信号处理器和控制器 - DSP, DSC NEXPERIA MEDIA PROC 166MHZ
RoHS：
否
制造商：
Microchip Technology
核心：
dsPIC
数据总线宽度：
16 bit
程序存储器大小：
16 KB 数据 RAM
大小：
2 KB
最大时钟频率：
40 MHz
可编程输入/输出端数量：
35
定时器数量：
3
设备每秒兆指令数：
50 MIPs
工作电源电压：
3.3 V
最大工作温度：
+ 85 C
封装/箱体：
TQFP-44
安装风格：
SMD/SMT

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更多PNX1311EH/G供应商更新时间2025-5-23 15:20:00

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