PN918分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PN918 |
| 参数属性 | PN918 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92-3 |
| 功能描述 | NPN RF Transistor |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 文件大小 |
77.14 Kbytes |
| 页面数量 |
2 页 |
| 生产厂商 | New Jersey Semi-Conductor Products, Inc. |
| 企业简称 |
NJSEMI【新泽西半导体】 |
| 中文名称 | 新泽西半导体产品股份有限公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-2 23:00:00 |
| 人工找货 | PN918价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PN918规格书详情
NPN RF Transistor
This device is designed for use as RF amplifiers, oscillators and
multipliers with collector currents in the 1.0 mA to 30 mA range.
Sourced from Process 43.
产品属性
- 产品编号：
PN918
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
- 频率 - 跃迁：
600MHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
6dB @ 60MHz
- 增益：
15dB
- 功率 - 最大值：
350mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 3mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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