PN5179中文资料NPN RF Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
PN5179 |
| 参数属性 | PN5179 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频；产品描述：RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 |
| 功能描述 | NPN RF Transistor |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-25 7:51:00 |
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PN5179规格书详情
简介
PN5179属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-射频。由制造生产的PN5179晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
技术参数
更多- 产品编号：
PN5179
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：
12V
- 频率 - 跃迁：
2GHz
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
5dB @ 200MHz
- 增益：
15dB
- 功率 - 最大值：
350mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
25 @ 3mA，1V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
50mA
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
- 供应商器件封装：
TO-92-3
- 描述：
RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原装，正品 |
询价 | ||
恩XP |
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3000 |
公司存货 |
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恩XP |
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原装正品 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 |
