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PN5179分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料

PN5179
厂商型号

PN5179

参数属性

PN5179 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-射频;产品描述:RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

功能描述

NPN RF Transistor

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

文件大小

51.48 Kbytes

页面数量

4

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-3 8:31:00

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PN5179规格书详情

This device is designed for use in low noise UHF/VHF amplifiers with collector currents in the 100 µA to 30 mA range in common emitter or common base mode of operation, and in low frequency drift, high ouput UHF oscillators. Sourced from Process 40.

产品属性

  • 产品编号:

    PN5179

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    12V

  • 频率 - 跃迁:

    2GHz

  • 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):

    5dB @ 200MHz

  • 增益:

    15dB

  • 功率 - 最大值:

    350mW

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 3mA,1V

  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):

    50mA

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装:

    TO-92-3

  • 描述:

    RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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