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4416P	文件：235.57 Kbytes Page：2 Pages	ThickFilmSurfaceMountedWideBodyTapeandreelpackagingstandard	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4416P-LF	文件：63.6 Kbytes Page：1 Pages	Networks	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
4416T-L	文件：29.03 Kbytes Page：2 Pages	Networks	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
AP4416GH	文件：65.379 Kbytes Page：4 Pages	LowerGateCharge,SimpleDriveRequirement	A-POWERAdvanced Power Electronics Corp. 富鼎先進電子富鼎先進電子股份有限公司
APM4416	文件：148.69 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4416K	文件：117.47 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4416KCTR	文件：148.69 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4416KC-TR	文件：117.47 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4416KC-TRL	文件：117.47 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4416KCTU	文件：148.69 Kbytes Page：9 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4416KC-TU	文件：117.47 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
APM4416KC-TUL	文件：117.47 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features •30V/4A, RDS(ON)=15mΩ(typ.)@VGS=10V RDS(ON)=22mΩ(typ.)@VGS=4.5V •SuperHighDenseCellDesign •ReliableandRugged •LeadFreeAvailable(RoHSCompliant) Applications •PowerManagementinNotebookComputer,PortableEquipmentandBatteryPoweredSystems	ANPECAnpec Electronics Corp 茂达电子
CEM4416	文件：517.53 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■30V,9A,RDS(ON)=18mΩ@VGS=10V.RDS(ON)=28mΩ@VGS=4.5V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■SurfacemountPackage.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司
CHM4416JPT	文件：319.97 Kbytes Page：3 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor VOLTAGE30VoltsCURRENT9Ampere FEATURE Smallflatpackage.(SO-8) SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Leadfreeproductisacquired. APPLICATION Servomotorcontrol. PowerMOSFETgatedrivers. *Otherswitching	CHENMKOCHENMKO CHENMKO
CMPF4416A	文件：77.31 Kbytes Page：2 Pages	SILICONN-CHANNELJFET DESCRIPTION: TheCENTRALSEMICONDUCTORCMPF4416AtypeisanepoxymoldedN-ChannelSiliconJunctionFieldEffectTransistormanufacturedinanSOT-23case,designedforVHFamplifierandmixerapplications.	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体
CMS-4416A	文件：1.22567 Mbytes Page：12 Pages	SLIDESWITCHES(SMD)	COPALCopal Electronics NidecNidec元器件公司
CMS-4416B	文件：1.22567 Mbytes Page：12 Pages	SLIDESWITCHES(SMD)	COPALCopal Electronics NidecNidec元器件公司
CMS-4416C	文件：1.22567 Mbytes Page：12 Pages	SLIDESWITCHES(SMD)	COPALCopal Electronics NidecNidec元器件公司
CMS-4416TA	文件：1.22567 Mbytes Page：12 Pages	SLIDESWITCHES(SMD)	COPALCopal Electronics NidecNidec元器件公司
CMS-4416TB	文件：1.22567 Mbytes Page：12 Pages	SLIDESWITCHES(SMD)	COPALCopal Electronics NidecNidec元器件公司

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详细参数

型号：
PN4416_Q
功能描述：
射频JFET晶体管 NCh RF Transistor
RoHS：
否
制造商：
NXP Semiconductors
配置：
Single
晶体管极性：
N-Channel 正向跨导
gFS（最大值/最小值）：
电阻汲极/源极
RDS（导通）：
漏源电压
VDS：
40 V
闸/源截止电压：
5 V
闸/源击穿电压：
40 V
最大漏极/栅极电压：
40 V 漏极电流（Vgs=0 时的
Idss）：
25 mA to 75 mA
功率耗散：
250 mW
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
SOT-23
封装：
Reel

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更多PN4416_Q供应商更新时间2024-4-27 14:02:00

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