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TGF4250-EEU	文件：179.89 Kbytes Page：7 Pages	4.8mmDiscreteHFET Description TheTriQuintTGF4250-SCCisasinglegate4.8mmdiscreteGaAsHeterostructureFieldEffectTransistor(HFET)designedforhighefficiencypowerapplicationsupto10.5GHzinClassAandClassABoperation.Typicalperformanceat2GHzis34dBmpoweroutput,13dBgain,and53PAE	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGF4250-SCC	文件：330.78 Kbytes Page：9 Pages	DC-10.5GHzDiscreteHFET	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TGF4250-SCC	文件：325.44 Kbytes Page：9 Pages	DC-10.5GHzDiscreteHFET Description TheTriQuintTGF4250-SCCisasinglegate4.8mmdiscreteGaAsHeterostructureFieldEffectTransistor(HFET)designedforhighefficiencypowerapplicationsupto10.5GHzinClassAandClassABoperation.Typicalperformanceat2GHzis34dBmpoweroutput,13dBgain,and53PAE	TriQuint TriQuint Semiconductor	TriQuint
TLE4250G	文件：84.28 Kbytes Page：12 Pages	Low-DropVoltageTracker	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
TLK4250	文件：286.82 Kbytes Page：20 Pages	QUAD1.0to2.5GbpssTRANSCEIVER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLK4250GPV	文件：286.82 Kbytes Page：20 Pages	QUAD1.0to2.5GbpssTRANSCEIVER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TLK4250IGPV	文件：286.82 Kbytes Page：20 Pages	QUAD1.0to2.5GbpssTRANSCEIVER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
TMP4250N	文件：140.85 Kbytes Page：8 Pages	NMOS4-BITMICROCONTROLLER NMOS4-BITMICROCONTROLLER The4250/70arehighspeed,4-bitsinglechipmicrocomputerswithadditionalinput/outputportsandbasedontheTLCS-42NMOSseries. The4250/70aresuitableforcontrolofhomeappliances(suchasfans,air-conditioners,refrigerators),audioequipments,games,a	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UPC4250	文件：316.18 Kbytes Page：14 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Widesupplyvoltagerange:±1Vto±18V •Programmableelectricalcharacteristics Powerconsumption,slewrate,etc. •Internalfrequencycompensation •Offsetvoltagenullcapability •Outputshortcircuitprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC4250	文件：387.19 Kbytes Page：10 Pages	PROGRAMMABLEOPERATIONALAMPLIFIER SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

详细参数

型号：
PN4250A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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