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PN4117_D26Z数据手册分立半导体产品的晶体管-JFET规格书PDF
| 厂商型号 |
PN4117_D26Z |
| 参数属性 | PN4117_D26Z 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-JFET；产品描述：JFET N-CH 40V 0.35W TO92 |
| 功能描述 | JFET N-CH 40V 0.35W TO92 |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-5 23:01:00 |
| 人工找货 | PN4117_D26Z价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PN4117_D26Z规格书详情
简介
PN4117_D26Z属于分立半导体产品的晶体管-JFET。由制造生产的PN4117_D26Z晶体管 - JFET结栅场效应晶体管 (JFET) 是用作电子控制开关、放大器或电压控制电阻器的器件。在栅极端子与源极端子之间施加适当极性的电势差就会增加电流流动的阻力，这意味着源极端子与漏极端子之间通道中流动的电流会更少。由于电荷流过源极与漏极端子之间的半导体通道，因此 JFET 不需要偏置电流。
技术参数
更多- 制造商编号
：PN4117_D26Z
- 生产厂家
：ONSEMI
- 电压 - 击穿（V（BR）GSS）
：40V
- 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
：30µA @ 10V
- 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
：600mV @ 1nA
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：3pF @ 10V
- 功率 - 最大值
：350mW
- 工作温度
：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型
：通孔
- 封装/外壳
：TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）
- 供应商器件封装
：TO-92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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