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PN3646功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

PN3646_D26Z功能描述:两极晶体管 - BJT Switching Transistor NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2

产品属性

  • 产品编号：

    PN3646

  • 制造商：

    onsemi

  • 类别：

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

  • 包装：

    带盒（TB）

  • 晶体管类型：

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：

    500mV @ 3mA，300mA

  • 电流 - 集电极截止（最大值）：

    500nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：

    30 @ 30mA，400mV

  • 工作温度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安装类型：

    通孔

  • 封装/外壳：

    TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

  • 供应商器件封装：

    TO-92-3

  • 描述：

    TRANS NPN 15V 0.3A TO92-3

晶体管资料

  • 型号：

    PN3646

  • 别名：

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家：

  • 制作材料：

    Si-N/P

  • 性质：

    开关管 （S）

  • 封装形式：

    直插封装

  • 极限工作电压：

    40V

  • 最大电流允许值：

    0.2A

  • 最大工作频率：

    <1MHZ或未知

  • 引脚数：

    3

  • 可代换的型号：

    2N3646,

  • 最大耗散功率：

    0.625W

  • 放大倍数：

  • 图片代号：

    A-20

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    999900

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    0.2

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