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ASIPT3642	文件：18.29 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONRFPOWERTRANSISTOR	ASI Advanced Semiconductor	ASI
AW3642	文件：3.03418 Mbytes Page：39 Pages	HighEfficiency,Dual1.5AFlashLEDDriver	AWINICShanghai awinic technology co.,ltd 艾为电子上海艾为电子技术股份有限公司	AWINIC
AW3642	文件：2.6568 Mbytes Page：37 Pages	HighEfficiency,Dual1.5AFlashLEDDriver	AWINICShanghai awinic technology co.,ltd 艾为电子上海艾为电子技术股份有限公司	AWINIC
AW3642	文件：3.03719 Mbytes Page：39 Pages	HighEfficiency,DualIndependent1.5AFlashLEDDriver	AWINICShanghai awinic technology co.,ltd 艾为电子上海艾为电子技术股份有限公司	AWINIC
C3642	文件：381.81 Kbytes Page：1 Pages	1700WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •6Ux42TEx226mm •Weight:10kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
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E3642A	文件：808.59 Kbytes Page：6 Pages	ProgrammableDCPowerSupplies	KEYSIGHTKeysight Technologies 是德科技是德科技（中国）有限公司	KEYSIGHT
EP3642	文件：92.69 Kbytes Page：1 Pages	InnerPanelsEPSeries	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
EP3642	文件：88.19 Kbytes Page：1 Pages	DATASUBJECTTOCHANGEWITHOUTNOTLCE	HAMMONDHammond Manufacturing Company Limited 哈蒙德哈蒙德制造有限公司	HAMMOND
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详细参数

型号：
PN3642_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PN3642_Q供应商更新时间2025-5-25 15:30:00

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