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DualN-Channel60V(D-S)SuperTrenchPowerMOSFET

FEATURES •SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET •ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) APPLICATIONS •DC/DCConverter Idealforhfigh-frequencyswfitchfingand synchronous • •Verylowon-resfistanceRds(on) •100RgandUISTested

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

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详细参数

型号：
PN3638A_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多PN3638A_Q供应商更新时间2025-7-26 11:00:00

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