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PN3638_J05Z数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

PN3638_J05Z

参数属性

PN3638_J05Z 封装/外壳为TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 25V 0.8A TO92-3

功能描述

TRANS PNP 25V 0.8A TO-92
TRANS PNP 25V 0.8A TO92-3

封装外壳

TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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PN3638_J05Z规格书详情

简介

PN3638_J05Z属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的PN3638_J05Z晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :PN3638_J05Z

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :800mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :25V

  • 不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)

    :1V @ 30mA,300mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值)

    :35nA

  • 不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)

    :30 @ 300mA,2V

  • 功率 - 最大值

    :625mW

  • 频率 - 跃迁

    :-

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :通孔

  • 封装/外壳

    :TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)

  • 供应商器件封装

    :TO-92-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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