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FM3565MT	文件：84.16 Kbytes Page：7 Pages	CPUCONFIGURATIONCONTROLLERRegister/MultiplexerforMicroprocessorVID GeneralDescription TheFairchildFM3565replacesthePCmotherboard’sCPUconfigurationswitcheswithanelectronicimplementation,consistingofa5-bitmultiplexedport,standard2-wirebusinterface,andnon-volatilelatcheswithexternalhardwarecontrol. Features ■ExtendedOperatingVolt	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IR3565A	文件：358.64 Kbytes Page：4 Pages	DualOutputDigitalMulti-PhaseController	IRF International Rectifier	IRF
IR3565A	文件：355.19 Kbytes Page：4 Pages	DualOutputDigitalMulti-PhaseController	IRF International Rectifier	IRF
IR3565AMTRPBF	文件：358.64 Kbytes Page：4 Pages	DualOutputDigitalMulti-PhaseController	IRF International Rectifier	IRF
IR3565AMXXYYTRP	文件：358.64 Kbytes Page：4 Pages	DualOutputDigitalMulti-PhaseController	IRF International Rectifier	IRF
k3565	文件：232.01 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingRegulatorApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K3565	文件：105.23 Kbytes Page：8 Pages	IFFilterforQuasi/SplitSoundApplications38,90MHz SAWComponents IFFilterforQuasi/SplitSoundApplications 38,90MHz Features ■TVIFfilterforquasi/splitsoundapplications(separatepictureandsoundchannel) ■PicturechannelwithNyquistslopeandsoundsuppression,symmetricaloutput ■Customizedgroupdelaypredistorti	EPCOSepcos 爱普科斯	EPCOS
K3565	文件：249.73 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNChannelMOSTypeSwitchingRegulatorApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K3565	文件：341.87 Kbytes Page：3 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(PIE-MOS4) SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=2.0Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=4.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=720V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
K3565	文件：218.78 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType,π-MOSIV SwitchingRegulatorApplications •Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=2.0Ω(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=4.5S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=100μA(VDS=720V) •Enhancementmode:Vth=2.0to4.0V(VDS=10V,ID=1mA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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详细参数

型号：
PN3565_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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