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PZT2907A	文件：97.03 Kbytes Page：7 Pages	PNPGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2907A	文件：109.47 Kbytes Page：2 Pages	SufaceMountSi-EpitaxialPlanarSwitchingTransistors •Powerdissipation1.3W •PlasticcaseSOT-223 •Weightapprox.0.04g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
PZT2907A	文件：297.44 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPlanarMediumPowerTransistor DESCRIPTION •ThePZT2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speedswitching,mediumpowerswitchingapplications.	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT2907A	文件：907.89 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor PNPSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
PZT2907A	文件：1.0932 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(PNP) FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementaryPNPTypeavailable(PZT2222A)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PZT2907A	文件：454.03 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementarytoPZT2222A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PZT2907A	文件：184.63 Kbytes Page：4 Pages	PNPGENERALPURPOSEAMPLIFIER ■DESCRIPTION ThisUTCPZT2907Aisdesignedforuseasageneralpurposeamplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsto500mA.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
PZT2907A	文件：548.71 Kbytes Page：4 Pages	PNPPlastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-223Package •Capableof1WattsofPowerDissipation •Ic:0.6A •Marking:ZT2907A •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyadd	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
PZT2907A	文件：108.62 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialTransistor PNPSiliconEpitaxialTransistor ThisPNPSiliconEpitaxialtransistorisdesignedforuseinlinearandswitchingapplications.ThedeviceishousedintheSOT-223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features •NPNComplementisPZT2222AT1 •TheSOT-223Pa	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PZT2907A	文件：161.24 Kbytes Page：1 Pages	TRANSISTOR(PNP) FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25℃) Collectorcurrent ICM:-0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-60V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55℃to+150℃	WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD 永而佳实业深圳市永而佳实业有限公司	WINNERJOIN

详细参数

型号：
PN2907TFR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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