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PZT2222A	文件：109.37 Kbytes Page：2 Pages	SufaceMountSi-EpitaxialPlanarSwitchingTransistors Powerdissipation1.3W PlasticcaseSOT-223 Weightapprox.0.04g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedandreeled	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
PZT2222A	文件：1.74917 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(PZT2907A)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT2222A	文件：1.53681 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementaryPNPTypeavailable(PZT2907A)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PZT2222A	文件：718.27 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementarytoPZT2907A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
PZT2222A	文件：180.43 Kbytes Page：5 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2222A	文件：379.4 Kbytes Page：2 Pages	Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementaryPNPTypeavailable(PZT2907A)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
PZT2222A	文件：113.77 Kbytes Page：5 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor ThisNPNSiliconEpitaxialtransistorisdesignedforuseinlinearandswitchingapplications.ThedeviceishousedintheSOT−223packagewhichisdesignedformediumpowersurfacemountapplications. Features •PNPComplementisPZT2907AT1 •TheSOT−223PackageCanbeSolderedUsingWaveor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PZT2222A	文件：618.77 Kbytes Page：4 Pages	NPNPlastic-EncapsulateTransistors Features •SurfaceMountSOT-223Package •Capableof1WattsofPowerDissipation •Ic:0.6A •Marking:ZT2222A •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoistureSensitivityLevel1 •Halogenfreeavailableuponrequestbyadd	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC

详细参数

型号：
PN2222ATFR_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT NPN Transistor General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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