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PZT2222A	文件：211.6 Kbytes Page：8 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.SourcedfromProcess19.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2222A	文件：108.3 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor NPNSiliconPlanarEpitaxialTransistor P/bLead(Pb)-Free	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
PZT2222A	文件：130.5 Kbytes Page：7 Pages	NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT223plasticpackage. PNPcomplement:PZT2907A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Switchingandlinearamplification.	ETC	ETC
PZT2222A	文件：182.41 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor FEATURES Powerdissipation PCM:1W(Tamb=25°C) Collectorcurrent ICM:0.6A Collector-basevoltage V(BR)CBO:75V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange TJ,Tstg:-55°Cto+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT2222A	文件：67.42 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER FEATURES *Thisdeviceisforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
PZT2222A	文件：212.72 Kbytes Page：8 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZT2222A	文件：109.37 Kbytes Page：2 Pages	SufaceMountSi-EpitaxialPlanarSwitchingTransistors Powerdissipation1.3W PlasticcaseSOT-223 Weightapprox.0.04g PlasticmaterialhasULclassification94V-0 Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDiotec Semiconductor 德欧泰克	Diotec
PZT2222A	文件：1.74917 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES Epitaxialplanardieconstruction ComplementaryPNPTypeavailable(PZT2907A)	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
PZT2222A	文件：1.53681 Mbytes Page：4 Pages	SOT-223Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementaryPNPTypeavailable(PZT2907A)	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PZT2222A	文件：718.27 Kbytes Page：2 Pages	NPNTransistors ■Features ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementarytoPZT2907A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
PN2222ARP
功能描述：
两极晶体管 - BJT TO-92
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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