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PN2222中文资料Planar passivated epitaxial NPN silicon transistor. 30V, 400mA.数据手册GESS规格书

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厂商型号	PN2222
参数属性	PN2222 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3 长体；包装为散装；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 30V 0.6A TO92
功能描述	Planar passivated epitaxial NPN silicon transistor. 30V, 400mA.
封装外壳	TO-226-3，TO-92-3 长体
制造商	GESS GE Solid State
数据手册	下载地址下载地址二
更新时间	2025-9-23 18:01:00
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技术参数

产品编号：
PN2222
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
250MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 长体
供应商器件封装：
TO-92（TO-226）
描述：
TRANS NPN 30V 0.6A TO92

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