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NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT89plasticpackage. PNPcomplement:PXT2907A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandlinearamplification. | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
NPNswitchingtransistor DESCRIPTION NPNswitchingtransistorinaSOT89plasticpackage. PNPcomplement:PXT2907A. FEATURES •Highcurrent(max.600mA) •Lowvoltage(max.40V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandlinearamplification. | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | Philips | ||
NPNSwitchingTransistor ■Features ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementarytoPXT2907A | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
0.5WNPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant.Seeorderinginformation) •EpoxymeetsUL94V-0flammabilityrating •MoisureSensitivityLevel1 •ICM:0.6A •OperatingandStorageJunctionTemp | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | ||
TRANSISTOR(NPN) FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementaryPNPTypeavailable(PXT2907A) | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | HTSEMI | ||
SOT-89Plastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction | WILLASWILLAS ELECTRONIC CORP 威伦威伦电子股份有限公司 | WILLAS | ||
Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryNPNtypeavailablePXT2907A. •Idealformediumpoweramplificationandswitching. | HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司 | HOTTECH | ||
SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES ●Epitaxialplanardieconstruction ●ComplementaryPNPTypeavailable(PXT2907A) | JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司 | JIANGSU | ||
SOT-89-3LPlastic-EncapsulateTransistors TRANSISTOR(NPN) FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction •ComplementaryPNPTypeavailable(PXT2907A) | DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司 | DGNJDZ | ||
NPNSwitchingTransistor FEATURES ●Highcurrent. ●Lowvoltage. APPLICATIONS ●Generalpurposeswitchingandlinearamplification. | BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司 | BILIN |
产品属性
- 产品编号:
PN2222-L-AP
- 制造商:
Micro Commercial Co
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
带盒(TB)
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
1V @ 50mA,500mA
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
100 @ 1mA,10V
- 频率 - 跃迁:
300MHz
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商器件封装:
TO-92
- 描述:
TRANS NPN 30V 0.6A TO92
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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Micro Commercial Co |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
Micro Commercial Co |
25+ |
TO-226-3 TO-92-3(TO-226AA) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
询价 | ||
FSC/ON |
23+ |
原包装原封□□ |
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TO-92-3 |
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TO-92 |
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当天发货全新原装现货 |
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TO922.54mm |
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