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PMZB670UPE中文资料20 V, single P-channel Trench MOSFET数据手册恩XP规格书
技术参数
- 型号：
PMZB670UPE
- 功能描述：
MOSFET P-Chan -20V -680mA
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
nexperia |
23+ |
MOSFET |
5864 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT883 |
18000 |
原装正品 |
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恩XP |
22+ |
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25000 |
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恩XP |
25+ |
SOT883 |
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NEXPERIA/安世 |
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恩XP |
24+ |
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原装进口正品 |
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恩XP |
24+ |
SOT883 |
60000 |
全新原装现货 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
现货 |
询价 |
