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PMWD16UN | Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET | PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | PHI | |
PMWD16UN | Dual N-channel uTrenchMOS ultra low level FET; | 恩XP | 恩XP |
详细参数
- 型号：
PMWD16UN
- 功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH DL 20V
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
24+ |
TSSOP-8 |
62 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
8-TSSOP |
518 |
询价 | |||
PHI |
2020+ |
SSOP-8 |
194 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
询价 | ||
PHI |
1738+ |
TSSOP-8 |
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原装现货/欢迎来电咨询 |
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PHI |
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PHI |
25+ |
TSSOP-8 |
10000 |
全新原装现货库存 |
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PHI |
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TSSOP-8 |
22454 |
只做原装正品 |
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更新时间2025-7-29 16:36:00
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