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PMV32UP中文资料安世数据手册PDF规格书

PMV32UP
厂商型号

PMV32UP

功能描述

20 V, 4 A P-channel Trench MOSFET

丝印标识

NF

封装外壳

SOT23

文件大小

1.55121 Mbytes

页面数量

15

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
NEXPERIA
数据手册

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更新时间

2025-8-5 13:19:00

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PMV32UP规格书详情

1.1 General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small

SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

1.2 Features and benefits

 1.8 V drain-source on-state resistance

rated

 Very fast switching

 Trench MOSFET technology

1.3 Applications

 Relay driver

 High-speed line driver

 High-side loadswitch

 Switching circuits

产品属性

  • 型号:

    PMV32UP

  • 功能描述:

    MOSFET P-CH -20 V -4 A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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