首页 >PMV16UN>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

PMV16UN

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converter

文件:486.74 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

PMV16UN

丝印:KV;Package:SOT23;20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET

1.1 General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 1.2 Features and benefits  Low threshold voltage  Very fast switching  Trench MOSFET technology 1.3 A

文件:933.97 Kbytes 页数:17 Pages

NEXPERIA

安世

PMV16UN

20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET

文件:820.17 Kbytes 页数:16 Pages

PHI

飞利浦

PHI

PMV16UN

20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET

文件:476.15 Kbytes 页数:4 Pages

ZPSEMIZP Semiconductor

至尚臻品

PMV16UN

20 V, 5.8 A N-channel Trench MOSFET

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Nexperia

安世

PMV16UN,215

MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23

恩XP

恩XP

详细参数

  • 型号:

    PMV16UN

  • 功能描述:

    MOSFET Small Signal MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
恩XP
25+
SOT-23
20300
NXP/恩智浦原装特价PMV16UN即刻询购立享优惠#长期有货
询价
NEXPERIA/安世
2025+
SOT-23
5000
原装进口,免费送样品!
询价
NEXPERIA/安世
2019+
SOT23
78550
原厂渠道 可含税出货
询价
NEXPERIA/安世
20+
SOT-23
120000
原装正品 可含税交易
询价
NEXPERIA/安世
23+
SOT-23
100586
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费!
询价
恩XP
16+
NA
8800
诚信经营
询价
NEXPERIA/安世
24+
SOT-23
98000
原装现货假一罚十
询价
NEXPERIA/安世
24+
SOT-23
9600
原装现货,优势供应,支持实单!
询价
恩XP
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
恩XP
23+
SOT23
18000
原装正品假一罚百!可开增票!
询价
更多PMV16UN供应商 更新时间2025-12-11 20:39:00