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PMPB27EPAX	文件：296.33 Kbytes Page：14 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET 1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power DFN2020MD-6 (SOT1220) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Trench MOSFET technology • Side wettable flanks for optical 文件：296.33 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
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