PMPB12R5UPE中文资料安世数据手册PDF规格书

厂商型号	PMPB12R5UPE
功能描述	20 V, P-channel Trench MOSFET
丝印标识	ZS
封装外壳	SOT1220-2
文件大小	317.25 Kbytes
页面数量	14 页
生产厂商	Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称	NEXPERIA【安世】
中文名称	安世半导体(中国)有限公司官网
原厂标识	NEXPERIA
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-5 23:01:00
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1. General description

P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless medium power

DFN2020M-6 (SOT1220-2) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench

MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Low threshold voltage

• Trench MOSFET technology

• Small and leadless ultra thin SMD plastic package: 2 x 2 x 0.65 mm

• Exposed drain pad for excellent thermal conduction

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2000 V HBM (class H2)

3. Applications

• Charging switch for portable devices

• DC-to-DC converters

• Power management in battery-driven portable devices

• Hard disk and computing power management

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