PMN55LN中文资料安世数据手册PDF规格书
PMN55LN规格书详情
1.1 Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using
TrenchMOS™ technology.
Product availability:
PMN55LN in SOT457 (TSOP6).
1.2 Features
n Low on-state resistance in small surface mount package.
1.3 Applications
n DC-to-DC primary side.
产品属性
- 型号：
PMN55LN
- 功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
NA/ |
20000 |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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TSOP-6 |
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Nexperia/安世 |
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恩XP |
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恩XP |
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NEXP |
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TSOP6 |
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Nexperia/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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TSOP6 |
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恩XP |
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