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PMN34UN	文件：234.72 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOS ultra low level FET Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™technology. Productavailability: PMN34UNinSOT457(TSOP6). Features ■TrenchMOS™technology ■Veryfastswitching ■Lowthresholdvoltage ■Surfacemountpackage. Applications ■Batt	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMN34UN	文件：477.69 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PMN34UN	文件：338.95 Kbytes Page：13 Pages	mTrenchMOS™ ultra low level FET 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability: PMN34UNinSOT457(TSOP6). 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSurfacemountpackage. 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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TrenchMOS ultra low level FET

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PhilipsNXP Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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mTrenchMOS™ ultra low level FET

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability: PMN34UNinSOT457(TSOP6). 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSurfacemountpackage. 3.Applications

安世安世半导体(中国)有限公司

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详细参数

型号：
PMN34UN
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
MOSFET N CH 30V 4.9A SOT457

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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