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PMN27UN	文件：474.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PMN27UN	文件：342.41 Kbytes Page：13 Pages	TrenchMOS™ ultra low level FET 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability: PMN27UNinSOT457(TSOP6). 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSurfacemountpackage. 3.Applications	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMN27UN	文件：237.88 Kbytes Page：12 Pages	TrenchMOS ultra low level FET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

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PMN27UN

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N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •LowOn-Resistance •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverters,HighSpeedSwitching

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

VBSEMI

PMN27UN

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TrenchMOS™ ultra low level FET

1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability: PMN27UNinSOT457(TSOP6). 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLowthresholdvoltage nSurfacemountpackage. 3.Applications

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

PMN27UN

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TrenchMOS ultra low level FET

PhilipsPhilips Semiconductors

飞利浦荷兰皇家飞利浦

Philips

详细参数

型号：
PMN27UN
功能描述：
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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