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PMN25UN

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • TrenchFET® Power MOSFET • Low On-Resistance • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • DC/DC Converters, High Speed Switching

文件:475.56 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

PMN25UN

丝印:T6;Package:TSOP6;20 V, 6 A N-channel Trench MOSFET

文件:1.10661 Mbytes 页数:17 Pages

NEXPERIA

安世

PMN25UN

20 V, 6 A N-channel Trench MOSFET

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT457 (SC-74) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

Nexperia

安世

PMN25UN,115

MOSFET N-CH 20V 6A 6TSOP

恩XP

恩XP

详细参数

  • 型号:

    PMN25UN

  • 功能描述:

    MOSFET 20V 6 A N-CH TRENCH MOSFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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