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PMH1200UPEH

30 V, P-channel Trench MOSFET

1. General description P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET te

文件:275.45 Kbytes 页数:14 Pages

NEXPERIA

安世

PMZ1200UPE

30 V, P-channel Trench MOSFET

文件:710.78 Kbytes 页数:15 Pages

NEXPERIA

安世

PMZB1200UPE

30 V, P-channel Trench MOSFET

文件:709.21 Kbytes 页数:15 Pages

NEXPERIA

安世

POR-1200

IEEE 802.3 10Base-T, Ethernet

文件:454.67 Kbytes 页数:3 Pages

LVL1

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