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PMF400UN	文件：209.54 Kbytes Page：13 Pages	N-channel mTrenchMOS™ ultra low level FET 1.1Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltage. nDrivercircuitsnSwitchingin	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMF400UN	文件：91.26 Kbytes Page：12 Pages	N-channel mTrenchMOS ultra low level FET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMF400UN	文件：1.93426 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
PMGD400UN	文件：93.52 Kbytes Page：12 Pages	DualN-channelmTrenchMOS??ultralowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMGD400UN	文件：213.32 Kbytes Page：13 Pages	DualN-channelmTrenchMOS™ultralowlevelFET 1.1Description DualN-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. 1.2Features 1.3Applications nSurfacemountedpackagenFootprint40smallerthanSOT23 nDualdevicenFastswitching nLowon-stateresistancenLowthresholdvoltag	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMH400UNE	文件：273.74 Kbytes Page：14 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET description N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN0606-3 (SOT8001)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. Features •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtechnology •ElectroStatic	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMP400	文件：1.08695 Mbytes Page：3 Pages	PMP400MedicalPowerSupplySeries(400W) Features: ·BFClassinsulation ·Operationaltitudeupto5000meters ·Wideinputrange90to264VAC ·Lowsafetygroundleakagecurrent ·Lessthan300μAleakagecurrent ·Efficiencygreaterthan85% ·OvervoltageProtection ·Over-temperatureProtection ·Short-CircuitProtection	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
PMP-400	文件：835.77 Kbytes Page：6 Pages	Quik-SpecPowerModulePanel	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
PMR400UN	文件：90.18 Kbytes Page：12 Pages	N-channelmTrenchMOSultralowlevelFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMR400UN	文件：482.99 Kbytes Page：14 Pages	N-channelTrenchMOSultralowlevelFET 1.1Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inultrasmall Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOStechnology. 1.2Featuresandbenefits Lowthresholdvoltage Surfacemountedpackage Lowon-stateresistance Footprint63small	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PMF400UN
功能描述：
MOSFET N-CH TRENCH 30V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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