选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
NXP USA Inc.8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
|
原厂IC |
1 |
13+ |
普通 |
PMEM4030NS,115采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
PMEM4030NS,115图片
PMEM4030NS,115中文资料Alldatasheet PDF
更多PMEM4030NS,115功能描述:两极晶体管 - BJT MEGA SCHOTTKY DIODES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2
产品属性
- 产品编号:
PMEM4030NS,115
- 制造商:
NXP USA Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
散装
- 晶体管类型:
NPN + 二极管(隔离式)
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
370mV @ 300mA,3A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
100nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
200 @ 1A,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
8-SO
- 描述:
TRANS NPN 50V 2A 8SO