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R6020ANJ	文件：237.41 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET 10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. Applications Switching Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6020ANX	文件：1.71658 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V20APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6020ANX	文件：237.11 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant Application SwitchingPowerSupply	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6020ANZ	文件：1.16191 Mbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET •Features 1)Lowon-resistance. 2)Lowinputcapacitance. 3)HighESD. •Application Switching •Structure SiliconN-channelMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6020ENJ	文件：2.53832 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V20APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6020ENJ	文件：298.92 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6020ENX	文件：2.51052 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V20APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6020ENX	文件：296.07 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
R6020ENZ	文件：951.17 Kbytes Page：13 Pages	Nch600V20APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
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