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PMEG3010AESBZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：2-XDFN；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PMEG3010BEA	文件：85.1 Kbytes Page：11 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG3010BEA	文件：217 Kbytes Page：8 Pages	1AlowVFMEGASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithanintegrated guardringforstressprotection,encapsulatedinaSOD323(SC-76)verysmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:I	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010BEA	文件：164.64 Kbytes Page：11 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier FEATURES •Forwardcurrent:1A •Reversevoltages:20V,30V,40V •Verylowforwardvoltage •UltrasmallandverysmallplasticSMDpackage •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •HighefficiencyDC-to-DCconversion •Voltageclamping •Protectioncircuits •Lowvolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010BEA-Q	文件：201 Kbytes Page：10 Pages	1AlowVFMEGASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithanintegrated guardringforstressprotection,encapsulatedinaSOD323(SC-76)verysmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:I	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010BEP	文件：254.54 Kbytes Page：12 Pages	30V,1AlowVFSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010BEP-Q	文件：254.8 Kbytes Page：12 Pages	30V,1AlowVFSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD128smallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤3	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010BER	文件：283.12 Kbytes Page：13 Pages	30V,1AlowVFSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010BER-Q	文件：261.88 Kbytes Page：13 Pages	30V,1AlowVFSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin aSOD123WsmallandflatleadSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Averageforwardcurrent:IF(AV)≤1A •Reversevoltage:VR≤	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010BEV	文件：85.1 Kbytes Page：11 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips

产品属性

产品编号：
PMEG3010AESBZ
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
32pF @ 10V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-XDFN
供应商器件封装：
DSN1006-2
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2

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