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PMEG3010BEV	文件：85.1 Kbytes Page：11 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG3010BEV	文件：186.59 Kbytes Page：8 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithanintegrated guardringforstressprotection,encapsulatedinanultrasmallSOT666Surface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent:IF≤1	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010BEV	文件：164.64 Kbytes Page：11 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier FEATURES •Forwardcurrent:1A •Reversevoltages:20V,30V,40V •Verylowforwardvoltage •UltrasmallandverysmallplasticSMDpackage •PowerdissipationcomparabletoSOT23. APPLICATIONS •HighefficiencyDC-to-DCconversion •Voltageclamping •Protectioncircuits •Lowvolt	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010CEH	文件：647.92 Kbytes Page：10 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers Features Forwardcurrent:IF£1A Reversevoltage:VR£30V Verylowforwardvoltage SmallandflatleadSMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010CEH-Q	文件：191.54 Kbytes Page：9 Pages	30V,1AverylowVFSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin asmallSOD123FSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent::IF≤1A •Reversevoltage:VR≤30V •Verylowforward	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010CEJ	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PMEG3010CEJ	文件：647.92 Kbytes Page：10 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifiers Features Forwardcurrent:IF£1A Reversevoltage:VR£30V Verylowforwardvoltage SmallandflatleadSMDplasticpackages	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010CEJ-Q	文件：192.49 Kbytes Page：9 Pages	30V,1AverylowVFSchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarSchottkybarrierrectifierwithanintegratedguardringforstressprotection,encapsulatedin averysmallandflatleadSOD323F(SC-90)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Forwardcurrent::IF≤1A •Reversevoltage:VR	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010EB	文件：185.09 Kbytes Page：8 Pages	1AverylowVFMEGASchottkybarrierrectifier 1.Generaldescription PlanarMaximumEfficiencyGeneralApplication(MEGA)Schottkybarrierrectifierwithanintegrated guardringforstressprotection,encapsulatedinaSOD523(SC-79)ultrasmallandflatlead Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •For	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMEG3010EGW	文件：683.44 Kbytes Page：12 Pages	30V,1AlowVFMEGASchottkybarrierrectifier	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

产品属性

产品编号：
PMEG3010AESBYL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
86pF @ 1V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
2-XDFN
供应商器件封装：
DSN1006-2
工作温度 - 结：
150°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 30V 1A DSN1006-2

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