PMBTA42分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PMBTA42 |
| 参数属性 | PMBTA42 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 300V 0.1A TO236AB |
| 功能描述 | 300 V, 100 mA NPN high-voltage transistor |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SOT-23 / TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 文件大小 |
218.03 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | 未知制造商 |
| 企业简称 |
恩XP |
| 中文名称 | 未知制造商 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-6-24 22:59:00 |
| 人工找货 | PMBTA42价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PMBTA42规格书详情
General description
NPN high-voltage transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PMBTA92.
Features
■ High voltage (max. 300 V)
Applications
■ Telephony and professional communication equipment
产品属性
- 产品编号：
PMBTA42,215
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 2mA，20mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 30mA，10V
- 频率 - 跃迁：
50MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS NPN 300V 0.1A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
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