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PMBTA06-Q分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PMBTA06-Q
厂商型号

PMBTA06-Q

参数属性

PMBTA06-Q 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 80V 0.5A TO236AB

功能描述

NPN general purpose transistor

丝印标识

1G

封装外壳

SOT23 / TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

226.21 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-24 14:40:00

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PMBTA06-Q规格书详情

1. General description

NPN general-purpose transistor encapsulated in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD)

plastic package.

PNP complement: PMBTA56-Q

2. Features and benefits

• High current (max. 500 mA)

• Low voltage (max. 80 V)

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

• General purpose switching and amplification in e.g. telephony and professional communication

equipment.

产品属性

  • 产品编号:

    PMBTA06-QVL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 10mA,100mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 100mA,1V

  • 频率 - 跃迁:

    100MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 80V 0.5A TO236AB

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