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PMBT2907AMBYL

Package:3-XFDFN;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:PMBT2907AMB/SOT883/XQFN3

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安世安世半导体(中国)有限公司

PMBT2907AQA

60V, 600 mA PNP switching transistor

1. General description PNP switching transistor in an ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) leadless Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads. NPN complement: PMBT2222AQA 2. Features and benefits • High current (max. 600 mA) • Low voltage (max. 60V) • Le

文件:244.88 Kbytes 页数:14 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

PMBT2907AYS

60V, 600 mA, double PNP switching transistor

General description Double PNP switching transistor in a very small SOT363 (TSSOP6) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Double NPN complement: PMBT2222AYS Features and benefits • Double general-purpose switching transistor • AEC-Q101 qualified Applications • Switching and linear a

文件:704.86 Kbytes 页数:15 Pages

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安世安世半导体(中国)有限公司

PMST2907A

PNP switching transistor

DESCRIPTION PNP switching transistor in an SC-70; SOT323 plastic package. NPN complement: PMST2222A. FEATURES • Low current (max. 200 mA) • Low voltage (max. 60 V). APPLICATIONS • Medium power switching • General purpose amplification.

文件:45.38 Kbytes 页数:8 Pages

PHI

飞利浦

PHI

产品属性

  • 产品编号:

    PMBT2907AMBYL

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.6V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    210MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XFDFN

  • 供应商器件封装:

    DFN1006B-3

  • 描述:

    PMBT2907AMB/SOT883/XQFN3

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更多PMBT2907AMBYL供应商 更新时间2025-10-4 23:00:00