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PMBT2222AQA分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PMBT2222AQA
厂商型号

PMBT2222AQA

参数属性

PMBT2222AQA 封装/外壳为3-XDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:PMBT2222AQA/SOT1215/DFN1010D-3

功能描述

40 V, 600 mA NPN switching transistor

丝印标识

X100

封装外壳

DFN1010D-3 / 3-XDFN 裸露焊盘

文件大小

242.7 Kbytes

页面数量

14

生产厂商 Nexperia B.V. All rights reserved
企业简称

NEXPERIA安世

中文名称

安世半导体(中国)有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-4 23:00:00

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PMBT2222AQA规格书详情

1. General description

NPN switching transistor in an ultra small DFN1010D-3 (SOT1215) leadless Surface-Mounted

Device (SMD) plastic package with visible and solderable side pads.

PNP complement: PMBT2907AQA

2. Features and benefits

• High current (max. 600 mA)

• Low voltage (max. 40V)

• Leadless ultra small SMD plastic package

• Low package height of 0.37 mm

• Suitable for Automatic Optical Inspection (AOI) of solder joint

3. Applications

• Switching and linear applications

• Mobile applications

产品属性

  • 产品编号:

    PMBT2222AQAZ

  • 制造商:

    Nexperia USA Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1V @ 50mA,500mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    10nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 150mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    340MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    3-XDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    DFN1010D-3

  • 描述:

    PMBT2222AQA/SOT1215/DFN1010D-3

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