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|---|---|---|---|---|
3V,WIDEBANDMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER DESCRIPTION TheUPC2762TandUPC2763TareSiliconMonolithicintegratedcircuitswhicharemanufacturedusingtheNESATIIIprocess.TheNESATIIIprocessproducestransistorswithfTapproaching20GHz.Theseamplifiersweredesignedfor900MHzand1.9GHzreceiversincellular,cordlessteleph | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=30mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+9.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=21.5dBTYP.@f=0.9GHz GP=20. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=23.0mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=19.0dBTYP.@f=0.9GHz GP=2 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=30mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+9.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=21.5dBTYP.@f=0.9GHz GP=20. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=23.0mATYP.@VCC=3.0V •Mediumoutputpower:PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=1.9GHz PO(1dB)=+7.0dBmTYP.@f=2.4GHz •Powergain:GP=19.0dBTYP.@f=0.9GHz GP=2 | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Mediumoutputpower:μPC2762TB;PO(1dB)=+8.0dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;PO(1dB)=+9.5dBmTYP.@f=0.9GHz μPC2771TB;PO(1dB)=+11.5dBmTYP.@f=0.9GHz •Powergain:μPC2762TB;GP=13dBTYP.@f=0.9GHz μPC2763TB;GP | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
3V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
3V,SUPERMINIMOLDMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER | CEL California Eastern Labs | CEL | ||
3V,2.9GHzSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC8182TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasamplifierformobilecommunications.ThisICoperatesat3V.ThemediumoutputpowerissuitableforRF-TXofmobilecommunicationssystem. FEATURES •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Circuitcurrent:ICC=3 | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC | ||
3V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIERFORMOBILECOMMUNICATIONS DESCRIPTION TheµPC2762TB,µPC2763TBandµPC2771TBaresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasamplifierformobilecommunications.TheseICsoperateat3V.ThemediumoutputpowerissuitableforRF-TXofmobilecommunicationssystem. TheseICismanufacturedusingNEC’s20GHzfTN | NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社 | NEC |
产品属性
- 产品编号：
PM-DB2762
- 制造商：
Holt Integrated Circuits Inc.
- 类别：
变压器 > 脉冲变压器
- 包装：
管件
- 大小 / 尺寸：
0.400" 长 x 0.400" 宽（10.16mm x 10.16mm）
- 高度 - 安装（最大值）：
0.320"（8.13mm）
- 工作温度：
-55°C ~ 130°C
- 描述：
ISOLATION TRANSFORMER SMD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HOLT |
24+ |
军工变压器 |
100 |
原装原盒全新原装现货特价销售,欢迎来电查询
|
询价 | ||
HOLT |
22+ |
smd |
100 |
原装现货 实单最低价支持 |
询价 | ||
HOLT |
23+ |
SMD |
880 |
全系列可订，支持实单。 |
询价 | ||
Holt Integrated Circuits Inc. |
2023+ |
N/A |
4550 |
全新原装正品 |
询价 | ||
VICOR |
2年内 |
NA |
3800 |
英博尔原装优质现货订货渠道商 |
询价 | ||
HOLT |
23+ |
SMD |
3000 |
原装正品代理渠道价格优势 |
询价 | ||
HoltIntegratedCircuitsIn |
2020+ |
N/A |
8 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
Holt Integrated Circuits Inc. |
22+ |
NA |
8 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
Holt Integrated Circuits Inc. |
2405+ |
Original |
50000 |
只做原装优势现货库存,渠道可追溯 |
询价 | ||
Holt Integrated Circuits Inc. |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 |
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