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PLVA659AVL	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER SOT23/TO236AB	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
S659	文件：418.5 Kbytes Page：1 Pages	350WATTSDC/DCSINGLEOUTPUT	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
SBC-659P	文件：410.75 Kbytes Page：1 Pages	IntelPentiumIIIandCeleronProcessors	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
SDR659	文件：80.01 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
SLVU659A	文件：425.45 Kbytes Page：17 Pages	TPS62125EVM-044EvaluationModule	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
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STB659B	文件：73.52 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTBIDIRECTIONALTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU659B	文件：28.4 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR VBR:6.8-440Volts PPK:600Watts FEATURES: 600Wsurgecapabilityat1ms Excellentclampingcapability Lowzenerimpedance Fastresponsetime:typicallylessthen1.0psfrom0volttoVBR(min.) TypicalIRlessthen1mAabove10V Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
STU659B	文件：61.72 Kbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ659B	文件：115.29 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ659B	文件：56.75 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
UPC659A	文件：123.77 Kbytes Page：16 Pages	8-BITA/DCONVERTERFORVIDEOPROCESSINGWITHREFERENCEGENERATORANDCLAMPCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC659A	文件：258.92 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Resolution:8-bit •Conversionrate:20Msps •Differentialnon-linearity:±0.5LSBMAX. •Powersupply:+5V •Analoginputvoltage:1.0Vp-p •Powerconsumption:215mWTYP. •Built-incircuit:Sampleandholdcircuit Clampcircuit(Clampvoltageandclamppulsemustbe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC659AGS	文件：258.92 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Resolution:8-bit •Conversionrate:20Msps •Differentialnon-linearity:±0.5LSBMAX. •Powersupply:+5V •Analoginputvoltage:1.0Vp-p •Powerconsumption:215mWTYP. •Built-incircuit:Sampleandholdcircuit Clampcircuit(Clampvoltageandclamppulsemustbe	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC659AGS	文件：123.77 Kbytes Page：16 Pages	8-BITA/DCONVERTERFORVIDEOPROCESSINGWITHREFERENCEGENERATORANDCLAMPCIRCUIT SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

产品属性

产品编号：
PLVA659AVL
制造商：
Nexperia USA Inc.
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单
系列：
Automotive, AEC-Q101, PLVA6xxA
包装：
卷带（TR）
容差：
±4%
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
描述：
DIODE ZENER SOT23/TO236AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PLVA659AVL供应商更新时间2024-9-21 11:10:00

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