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PMPB100ENE	文件：321.51 Kbytes Page：15 Pages	30V,N-channelMOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessmediumpower DFN2020MD-6(SOT1220)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •Smallandleadless	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMPB100XPEA	文件：327.37 Kbytes Page：15 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMR100	文件：98.36 Kbytes Page：3 Pages	Ultralowohmicresistorsforcurrentdetection	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
PMR100	文件：83.21 Kbytes Page：3 Pages	Ultra-lowOhmicResistorsforCurrentDetection	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
PMR100	文件：431.22 Kbytes Page：5 Pages	Ultra-lowOhmicChipResistorsforCurrentDetection	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
PMR100HZPJ	文件：994.42 Kbytes Page：8 Pages	Ultra-lowohmicjumperchipresistors	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
PMR100-SERIES	文件：83.21 Kbytes Page：3 Pages	Ultra-lowOhmicResistorsforCurrentDetection	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
PMV100ENEA	文件：723.49 Kbytes Page：16 Pages	30V,N-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV100EPA	文件：280.55 Kbytes Page：14 Pages	60V,P-channelTrenchMOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23(TO-236AB) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •ExtendedtemperaturerangeTj=175°C •TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PMV100XPEA	文件：271.6 Kbytes Page：15 Pages	20V,P-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PLS100N-B
功能描述：
Fuse-Programmable PLD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PLS100N-B供应商更新时间2025-5-29 21:17:00

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