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AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.) | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
AdvancedPowerMOSFET | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.) | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司 | Fairchild | ||
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iscP-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
8MHzRail-to-RailCompositeVideoDriverwith6dBGain PRODUCTDESCRIPTION TheSGM9110issinglerail-to-rail3-poleoutputreconstructionfilterwitha-3dBbandwidthof8MHzandaslewrateof40V/µs.Operatingfromsinglesuppliesrangingfrom+2.5Vto+5.5Vandsinkinganultra-low2.65mAquiescentcurrent,theSGM9110isideallysuitedforlowp | SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司 | SGMICRO | ||
High-VoltageSwitchmodeControllers | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
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产品属性
- 产品编号：
PL9110T
- 制造商：
iNRCORE, LLC
- 类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
- 系列：
PL91XX
- 包装：
管件
- 容差：
±20%
- 电流 - 饱和 （Isat）：
3.6A
- 屏蔽：
屏蔽
- DC 电阻 (DCR)：
30 毫欧最大
- 工作温度：
-55°C ~ 130°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
非标准
- 大小 / 尺寸：
0.413" 长 x 0.413" 宽（10.50mm x 10.50mm）
- 高度 - 安装（最大值）：
0.248"（6.30mm）
- 描述：
FIXED IND 15UH 3.6A 30 MOHM SMD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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PULSE |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
PULSE |
20+ |
电感器 |
500 |
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询价 | ||
iNRCORE LLC |
25+ |
非标准 |
9350 |
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询价 | ||
PULSE |
2022+ |
SMD |
90000 |
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