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SURA8130	文件：182.23 Kbytes Page：6 Pages	PowerRectifier,Ultra-FastRecovery,1A,300-400V Ideallysuitedforhighvoltage,highfrequencyrectification,oras freewheelingandprotectiondiodesinsurfacemountapplications wherecompactsizeandweightarecriticaltothesystem. Features •SmallCompactSurfaceMountablePackagewithJ−BendLeads •RectangularPackageforAutom	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SURA8130	文件：56.27 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountUltrafastPowerRectifiers	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ULN8130A	文件：200.14 Kbytes Page：5 Pages	Precisionsupervisorysystemsmonitor	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
ULN-8130A	文件：2.11023 Mbytes Page：41 Pages	LINEARINTEGRATEDCIRCUITS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
ULN-8130LW	文件：1.20249 Mbytes Page：42 Pages	PACKAGEINFORMATION	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
UPC8130TA	文件：453.59 Kbytes Page：42 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUITS FEATURES •Recommendedoperatingfrequency:f=800MHzto1.5GHz •Lowdistortion:Padj£–60dBcMAX.@Pin=–15dBm,Df=±50kHz,VCC=3.0V, TA=+25°C •Supplyvoltage:VCC=2.7to3.3V •Lowcurrentconsumption:ICC=11mATYP.@VCC=3.0V •Gaincontrolvoltage:VAGC=0t	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPC8130TA	文件：550.61 Kbytes Page：52 Pages	VARIABLEGAINAMPLIFIERSILICONMMICFORTRANSMITTERAGCOFDIGITALCELLULARTELEPHONE DESCRIPTION TheµPC8119TandµPC8120Taresiliconmonolithicintegratedcircuitsdesignedasvariablegainamplifier.Dueto100MHzto1.9GHzoperation,theseICsaresuitableforRFtransmitterAGCstageofdigitalcellulartelephone.Twotypesofgaincontrolletuserschooseinaccordancewi	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UTC8130	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
VEMD8130	文件：380.08 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINPhotodiode DESCRIPTION VEMD8130isahighspeedandhighsensitivePIN photodiode.Itisaminiaturesurface-mountdevice(SMD) includingthechipwitha2.2mm2sensitiveareaanda daylightblockingfiltermatchedwithIRemittersoperatingat wavelengthbetween870nmand950nm FEATURES •Packag	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VEMD8130	文件：379.55 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPINPhotodiode DESCRIPTION VEMD8130isahighspeedandhighsensitivePIN photodiode.Itisaminiaturesurface-mountdevice(SMD) includingthechipwitha2.2mm2sensitiveareaanda daylightblockingfiltermatchedwithIRemittersoperatingat wavelengthbetween870nmand950nm. FEATURES •Packa	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
PL8130T
制造商：
iNRCORE, LLC
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
SLED
包装：
卷带（TR）
类型：
环形
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
12.4 毫欧最大
工作温度：
-55°C ~ 130°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
非标准
大小 / 尺寸：
0.725" 长 x 0.575" 宽（18.42mm x 14.61mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.410"（10.41mm）
描述：
FIXED IND 7.9UH 7.8A 12.4MOHM SM

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更多PL8130T供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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