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TPC8123	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
TPC8123	文件：991.25 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-free •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •100UISTested APPLICATIONS •LoadSwitch •NotebookAdaptorSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TPC8123	文件：279.38 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconPChannelMOSType(U-MOS?? LithiumIonBatteryApplications PowerManagementSwitchApplications •Smallfootprintduetosmallandthinpackage •Lowdrain-sourceON-resistance:RDS(ON)=7.0mΩ(typ.) •Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=36S(typ.) •Lowleakagecurrent:IDSS=−10μA(max)(VDS=−30V) •En	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
UTC8123	文件：96.26 Kbytes Page：5 Pages	LINERINTERFRATEDCIRCUIT	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
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产品属性

产品编号：
PL8123T
制造商：
iNRCORE, LLC
类别：
电感器，线圈，扼流圈 > 固定电感器
系列：
SLED
包装：
管件
类型：
环形
屏蔽：
无屏蔽
DC 电阻 (DCR)：
290 毫欧最大
工作温度：
-55°C ~ 130°C
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
非标准
大小 / 尺寸：
0.725" 长 x 0.575" 宽（18.42mm x 14.61mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.410"（10.41mm）
描述：
FIXED IND 73UH 1.3A 290 MOHM SMD

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