高精度恒压/恒流、原边控制PWM功率开关

• 内置高集成度的功率MOSFE下\n• +/-5%恒压调节\n• 全电压范围内实现高精度电流调节\n• 去除光祸和次级控制电路\n• 内置高精度恒流调节的线电压补偿\n• 内置变压器电感补偿\n• 可编程的输出线补偿\n• 内置可提高效率的自适应多模式\n  PWM/PFM控制\n• 低启动电流\n• 内置软启动\n• 内置前沿消隐\n• 逐周期电流限制\n• 欠压保护\n• 内置短路保护以及输出过压保护;

PMicro

聚元微电子

电源管理

PL3326C 是一系列高效率、高集成度、原边调节的 PWM功率开关，其主要应用于小于 15W 的 AC/DC 反激式开关电源。PL3326C 通过去除光耦以及次级控制电路，简化了充电器/适配器等传统的恒流/恒压的设计，从而实现高精度的电压和电流调节，调节波形如下图 1 所示。\n\n复合模式的应用使得芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。而且高集成的功率 MOSFET 能够降低外部 PCB的面积以及系统的成本。\n\nPL3326C 同时具有多种保护功能：逐周期峰值电流检测、欠压保护、过压保护等。\n\n\n\n\n\n\n\n1T增强型ET8051内核集成最多16+4(移位)个电容触 • 1T增强型ET8051内核\n• 集成最多16+4(移位)个电容触摸按键\n• 内置4K字节Flash与128字节EEPROM\n• 工作温度:-40°C~125C\n• 集成8通道11位ADC\n• 最多22个双向通用I/O口\n• 封装形式:24/20/16/8管脚\n• Flash程序区:40年、10万次\n• EEPROM数据区:40年、50万次;

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聚元微电子

电源管理

PL3326C 是一系列高效率、高集成度、原边调节的 PWM功率开关，其主要应用于小于 15W 的 AC/DC 反激式开关电源。PL3326C 通过去除光耦以及次级控制电路，简化了充电器/适配器等传统的恒流/恒压的设计，从而实现高精度的电压和电流调节，调节波形如下图 1 所示。\n\n复合模式的应用使得芯片能够实现低静态功耗、低音频噪音、高效率。而且高集成的功率 MOSFET 能够降低外部 PCB的面积以及系统的成本。\n\nPL3326C 同时具有多种保护功能：逐周期峰值电流检测、欠压保护、过压保护等。\n\n\n\n\n\n\n\n1T增强型ET8051内核集成最多16+4(移位)个电容触 • 1T增强型ET8051内核\n• 集成最多16+4(移位)个电容触摸按键\n• 内置4K字节Flash与128字节EEPROM\n• 工作温度:-40°C~125C\n• 集成8通道11位ADC\n• 最多22个双向通用I/O口\n• 封装形式:24/20/16/8管脚\n• Flash程序区:40年、10万次\n• EEPROM数据区:40年、50万次;

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聚元微电子

IC for CMOS System Reset

Outline This IC is a system reset IC developed using the CMOS process. Super low consumption current of 0.25µA typ. has been achieved through use of the CMOS process. Also, detection voltage is high precision detection of ±2. Features 1. Super low consumption current 0.25µA typ. (when VDD

文件：89.77 Kbytes 页数：9 Pages

MITSUMI

三美

CMOS System Reset

Outline This IC is a system reset IC developed using the CMOS process. Super low consumption current of 0.25µA typ. has been achieved through use of the CMOS process. Also, detection voltage is high precision detection of ±2. Features 1. Super low consumption current 0.25µA typ. (when VDD

文件：177.66 Kbytes 页数：9 Pages

MITSUMI

三美

30 WATT ISOLATED DC/DC CONVERTER

文件：1.27079 Mbytes 页数：5 Pages

TI

德州仪器